收藏 
下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
概述
Ushio Inc.的PT010-05是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-05的更多详细信息，
参数
- 材料 / Material : Clear Epoxy Resin
- 安装类型 / Mounting Type : Chip, Leaded
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 10 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 10 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 900 nm
规格书
厂家介绍
Ushio Inc.利用独特的激光技术和制造专业知识，提供主要用于IT行业的光学设备，如激光二极管和发光二极管。我们的产品系列涵盖广泛，包括用于高端多功能办公打印机的高功率红色多光束激光二极管、用于医疗和测量应用的红色激光二极管、用于曝光设备的紫色激光二极管，用于显示器的高功率红色激光二极管，以及用于光学编码器的红外发射二极管。我们将继续积极为IT行业开发和商业化领先的半导体激光器。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- MTD8600T4-T光电晶体管Marktech Optoelectronics
材料: Metal波长（光谱灵敏度）: 400 to 1100 nm
Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息，请参阅下文。
- OP509A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
来自TT Electronics的OP509A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流5.7 mA.有关OP509A的更多详细信息，请参见下文。
- OP560B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP560B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP560B的更多详情，请参见下文。
- AM4457P3C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 420 to 1120 nm
来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA，功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息，请参阅下文。
- L-7113P3C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
来自KingbrightUSA的L-7113P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5至2.5 mA.有关L-7113P3C的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
什么是光达林顿晶体管（Photodarlington Transistor）？
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管，它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。
晶体技术引领下一代OLED：中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示，他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管（OLED）。通过采用热激活延迟荧光（TADF）材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术，并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构，这项技术实现了对发光行为的有效控制，提高了器件性能，包括更高的亮度和光子输出效率。