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KPD1801H
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-01-06 14:51:27
型号: KPD1801HSilicon Photodiodes
KPD1801H概述
Kyoto Semiconductors的KPD1801H是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为250 PF，暗电流为1 nA.有关KPD1801H的更多详细信息，
KPD1801H参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : PN
- 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
- 波长范围 / Wavelength Range : 400 to 1100 nm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
- 电容 / Capacitance : 250 pF
- 暗电流 / Dark Current : 1 nA
KPD1801H规格书
KPD1801H厂家介绍
Kyosemi公司于1980年4月在日本京都成立，是一家制造光半导体器件的风险投资公司。36年来，我们克服了许多考验；将我们的基地从京都扩展到东京、北海道和硅谷；并巩固了我们作为专业光半导体器件制造商的市场地位。为此，我向Kyosemi的所有客户和利益相关者表示衷心的感谢。
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