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KPA8-2N
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-01-06 14:51:27
型号: KPA8-2NInGaAs Photodiode Array
KPA8-2N概述
KPA8-2N参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : PN
- 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
- 波长范围 / Wavelength Range : 1310 to 1550 nm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- 电容 / Capacitance : 0.6 to 0.8 pF
- 暗电流 / Dark Current : 0.08 nA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.8 to 0.85 A/W
KPA8-2N规格书
KPA8-2N厂家介绍
Kyosemi公司于1980年4月在日本京都成立，是一家制造光半导体器件的风险投资公司。36年来，我们克服了许多考验；将我们的基地从京都扩展到东京、北海道和硅谷；并巩固了我们作为专业光半导体器件制造商的市场地位。为此，我向Kyosemi的所有客户和利益相关者表示衷心的感谢。
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图片名称分类制造商参数描述
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