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GAP300/2.05
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-06-05 17:55:54
型号: GAP300/2.05
概述
参数
- 波长范围 / Wavelength Range : 2.05 µm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- 电容 / Capacitance : 80 pF
- 暗电流 / Dark Current : 0.5 µA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.9 to 1.0 A/W
规格书
厂家介绍
GPD Optoelectronics成立于1973年，当时名为锗功率器件公司（Germanium Power Devices Corp.）。我们较初生产高质量的锗晶体管，但自20世纪80年代初以来，我们已成为值得信赖的锗和砷化铟镓光电二极管制造商。随着经验的积累，我们的技术能力和生产能力得到了提高，较终我们的规模扩大了一倍，搬到了位于新罕布什尔州塞勒姆的新工厂。
GPD自1973年以来一直是功率和高速锗晶体管和二极管的制造商，自1985年以来是红外光电探测器的制造商。GPD提供Ge、p-n、p-i-n、APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器，用于辐射检测和电信应用。GPD拥有符合MIL-I-45208的检验系统。光电二极管须符合Telcordia测试要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883测试方法和/或客户规格。
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图片名称分类制造商参数描述
- 9215B - 51mm Photomultiplier Tubes光电二极管ADIT Electron Tubes
波长范围: 290 - 630 nm
光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。
- PB25S60608M光电二极管Laser Components
Laser Components的PB25S60608M是一款光学探测器，波长范围为1至3µm，响应度/光敏度为900000至140000 V/W，有效面积直径为9.5 mm.有关PB25S60608M的更多详细信息，请参阅下文。
- UVG12光电二极管Opto Diode Corporation
Opto Diode Corporation的UVG12是一款光学探测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为4µsec，电容为3至7 NF，响应度/光敏度为0.10 5至0.125 A/W，有效面积直径为4.1 mm.有关UVG12的更多详细信息，请参阅下文。
- OSI-515光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 350 to 1100 nm响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的OSI-515是一款光电二极管，波长范围为350至1100 nm，电容为15至85 PF，暗电流为0.25至3 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.OSI-515的更多详细信息见下文。
- UV-35P光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 254 nm响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的UV-35P是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为1600 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为3µs.有关UV-35P的更多详细信息，请参阅下文。
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