GAP1000PDL

波长范围: 200 - 850 nm

采用端窗式多碱（S20光电阴极）光电倍增管、高导磁合金屏蔽和基于PCB的倍增极链，可确保可靠的操作和出色的线性度。215高电压供应模块将光电阴极维持在负高电压。测量该探测器产生的光电流时，较好使用487皮安计或477前置放大器，然后使用496锁定放大器。与DH_3一起提供的安装法兰与整个系列的边沁单色仪和附件兼容。

波长范围: 800 nm响应度/光敏度: 50 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的APD05-8-150-T52是一款光电二极管，波长范围为800 nm，带宽为900 MHz，电容为3 PF，暗电流为0.1至1 nA，响应度/光敏度为50 A/W.有关APD05-8-150-T52的更多详细信息，请参见下文。

波长范围: 810 nm响应度/光敏度: 0.35 to 0.40 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的UDT-4x4D是一款光电二极管，波长范围为810 nm，电容为35 PF，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W.有关UDT-4x4D的更多详细信息，请参见下文。

波长范围: 820 to 900 nm响应度/光敏度: 0.35 A/W

Centronic的AEPX65R2F是一款光电二极管，波长范围为820至900 nm，电容为6至8 PF，暗电流为2至10 nA，响应度/光敏度为0.35 A/W，上升时间为0.6 ns.有关AEPX65R2F的更多详细信息，请参阅下文。

C30739ECERH系列短波长增强硅雪崩光电二极管是一种大面积硅APD，专为各种宽带低光级应用而设计，涵盖从400nm以下到700nm以上的光谱范围。具有短波长响应性增强和在430nm时超过80%的典型量子效率。