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参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
- 波长范围 / Wavelength Range : 1200 to 1650 nm
- RoHS / RoHs : Yes
- 电容 / Capacitance : 80 pF
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.88 A/W
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厂家介绍
Macom为数据中心、电信、工业和国防应用设计和制造半导体产品。Macom总部位于马萨诸塞州洛厄尔，在北美、欧洲和亚洲设有设计中心和销售办事处。Macom通过了ISO9001国际质量标准和ISO14001环境管理标准认证。Macom拥有超过65年的应用专业知识，在北美、欧洲和亚洲拥有多个设计中心、硅、砷化镓和磷化铟制造、制造、组装和测试以及运营设施。点击此处查看我们的设施。此外，Macom还提供代表我们业务中关键核心竞争力的铸造服务。
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图片名称分类制造商参数描述
- Low Cost Avalanche Photodiode Arrays SAH-Series光电二极管Laser Components USA, Inc.
定制的硅APD阵列具有高灵敏度和低串扰，针对800-900 nm波长范围进行了优化。可以容易地以从8到16个元件的可变尺寸来配置阵列。更高的像素计数和多行配置也是可能的。其他选项包括集成电子设备和带通滤波器。
- S-10CL光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 970 nm响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的S-10CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为30 PF，暗电流为40 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-10CL的更多详细信息见下文。
- SL3-1光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 670 nm响应度/光敏度: 0.4 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的SL3-1是一款光电二极管，波长范围为670 nm，电容为3至7 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.4 A/W，上升时间为0.04µs.有关SL3-1的更多详细信息，请参阅下文。
- EPD-365-0-1.4光电二极管Roithner Lasertechnik
波长范围: 365 nm响应度/光敏度: 0.07 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-365-0-1.4是一款光电二极管，波长范围为365 nm，带宽为85 nm，电容为250 PF，暗电流为5至30 pA，响应度/光敏度为0.07 A/W.EPD-365-0-1.4的更多详情见下文。
- IAV200光电二极管GPD Optoelectronics
波长范围: 1 to 1.63 µm响应度/光敏度: 0.85 to 1.05 A/W
GPD Optoelectronics的IAV200是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为0.5至2 GHz，电容为1.8至2.2 PF，暗电流为8至25 nA，响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关IAV200的更多详细信息，请参见下文。
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