由于其在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用,对近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱中的高像素、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的SWIR光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs),其局限性包括高暗电流和复杂的制造工艺。有机半导体的出现提供了一个很有前途的替代方案,具有更容易制造和可调谐光学特性的潜力。
InGaAs / APD 200 micron die
更新时间:2023-02-07 15:58:22
InGaAs / APD 200 micron die概述
InGaAs / APD 200 micron die参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs, InAlAs
- 波长范围 / Wavelength Range : 1500 nm
- 暗电流 / Dark Current : 25 to 200 nA
- 电容 / Capacitance : 4.0 pF
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 7 to 9 A/W
- 有效面积直径 / Active Area Diameter : 200 µm
InGaAs / APD 200 micron die规格书
InGaAs / APD 200 micron die厂家介绍
相关内容
相关产品
- Gentec-EO Discrete Pyroelectric Sensor QS9-IL光电探测器Gentec-EO
我们的热电探测器是一类室温热探测器,当暴露于辐射源时,其产生的电流输出与温度变化率成正比。它们较好用交流电流源、电容器和电阻器来描述。它们的电流输出由方程I=P(T)·A·DT/DT决定,其中I是电流,P(T)是Pyro系数,A是由前电极限定的面积,DT/DT是Pyro晶体的温度变化率。与其他红外探测器相比,热释电探测器的优点是:室温操作、宽光谱响应、高灵敏度(D*)和快速响应(亚纳秒至50Ω)。我们的被动式分立热电探测器直径范围为1至9毫米,并提供两种配置:高灵敏度或高平均功率。他们展示了覆盖有我们的金属涂层(MT)的热电探测器元件,并封装在微型TO-5或TO-8罐中。左图显示了两种类型探测器的引脚排列。我们的有机黑色涂层(BL),增加了光学吸收,并有助于平坦的光谱响应。我们还提供许多可添加到TO CAN的永久红外窗口。这些离散的Pyro探测器是脉冲激光应用的理想选择。
- HTS M11 Detector光电探测器Heimann Sensor GmbH
HMS M系列是单热电堆传感器,采用小型TO-46封装,配有透镜光学器件。它们设计用于非接触式短距离温度测量。有两种不同的镜头光学系统可供选择。结合不同的热电堆芯片尺寸,FOV可以在12°和28°之间。这些传感器也可作为模块提供,带有集成的模拟或数字信号调节单元,以简化应用。
- ODD-42W Visible Blue And Red Enhanced Detectors光电探测器Opto Diode
光电二极管可见蓝光和红光增强型探测器。
- UPD-35-UVIR-D光电探测器ALPHALAS
光电探测器类型: Avalanche波长范围: 350 to 1700 nm
来自AlphaLas的UPD-35-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学检测器。UPD-35-UVIR-D的更多详情见下文。
- PDPF1000TO光电探测器Go!Foton
光电探测器类型: PIN波长范围: 950 to 1625 nm
PDPF1000TO来自GO!Foton是一款光学探测器,波长范围为950至1625 nm,暗电流为50 nA,电容为100至150 PF,响应度/光敏度为0.95至1.0 A/W,有效面积直径为1000µm.有关PDPF1000TO的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
这项题为 "具有增强的B-外激子发射和宽光谱响应的V-掺杂MoS2单层的气相生长 "的研究成果于2023年12月7日发表在《光电子学前沿》(Frontiers of Optoelectronics)上。这项研究为不断发展的二维半导体及其对光电技术的潜在影响提供了宝贵的见解。
由中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)游力行研究员和李浩研究员领导的团队采用了一种新颖的差分读出方法,研究了有人工几何约束和无人工几何约束的SNSPD中iDC的空间分布。这种方法可以精确描述 iDCs 的空间来源,揭示探测器内微小几何约束的重要影响。
用于激光和光电探测器集成的大规模过氧化物单晶阵列的片上可控制造
光电设备中非常需要可寻址的活性层,以实现功能集成和应用。金属卤化物过氧化物由于其优越的光电特性和基于溶液的制造工艺,在光电器件中显示出良好的应用前景。