这项题为 "具有增强的B-外激子发射和宽光谱响应的V-掺杂MoS2单层的气相生长 "的研究成果于2023年12月7日发表在《光电子学前沿》(Frontiers of Optoelectronics)上。这项研究为不断发展的二维半导体及其对光电技术的潜在影响提供了宝贵的见解。
FPD-IG-175
更新时间:2023-02-07 15:58:22
FPD-IG-175概述
FPD-IG-175参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- 波长范围 / Wavelength Range : 900 to 1700 nm
- 上升时间 / Rise Time : 0.175 nS
- 暗电流 / Dark Current : 2 nA
- RoHS / RoHs : Yes
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 1.1 A/W
- 有效面积直径 / Active Area Diameter : 0.1 mm
FPD-IG-175规格书
FPD-IG-175厂家介绍
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