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下载规格书 天津大学：研究人员利用超导纳米线单光子探测器将非视距成像技术扩展到近红外和中红外波长
天津大学研究人员描述了利用一种被称为超导纳米线单光子探测器的先进光传感元件进行非视距成像的首次演示。这种探测器具有从 X 射线到中红外波长的单光子灵敏度，使研究人员能够将成像技术的光谱范围扩展到1560 nm和1997 nm的近红外和中红外波长。研究人员还开发了一种新算法，以进一步改进系统获得的图像。
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Thorlabs致力于以快速有效的服务，为客户供应高品质的光电产品及附属产品。索雷博, 光学平台, 光学元件, 位移台, 光纤跳线, 激光器, 二极管驱动, 宽谱光源, 光电探测, 光束分析, OCT成像, 成像系统, 压电陶瓷, 光电实验室
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- 9352KB - 200mm Photomultiplier Tube光电二极管ADIT Electron Tubes
波长范围: 290 - 630 nm
光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。
- FCI-HR005光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 850 nm响应度/光敏度: 0.5 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的FCI-HR005是一种光电二极管，波长范围为850 nm，电容为0.8 PF，暗电流为0.02 nA，响应度/光敏度为0.5 A/W，上升时间0.75 ns.有关FCI-HR005的更多详细信息，请参阅下文。
- FCI-InGaAs-300B1x8光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.8 to 0.85 A/W
OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-300B1x8是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，带宽为100 MHz，电容为8至10 PF，暗电流为0.05至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.85 A/W.FCI-InGaAs-300B1x8的更多详情见下文。
- OSD35-LR-A光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 830 nm响应度/光敏度: 0.54 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的OSD35-LR-A是一款波长范围为830 nm、电容为1300 PF、响应度/光敏度为0.54 A、旁路电阻3GΩ、NEP 5.6 e-15 W/√Hz的光电二极管。有关OSD35-LR-A的更多详细信息，请参见下文。
- PIN-5D光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 970 nm响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的PIN 5D是波长范围为970 nm、电容为15至85 PF、暗电流为0.25至3 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W、上升时间为12 ns的光电二极管。有关引脚5D的更多详细信息，请参见下文。
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