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下载规格书 Photodigm DBR 激光二极管为短波红外精密激光二极管设定了世界标准。
全部产品分类
概述
Vertilite的CAC940G003是一款激光二极管，波长为934 nm、940 nm、946 nm，输出功率为2.8至3 W，工作电压为1.6至2.4 V，工作电流为3.5 A.有关CAC940G003的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL)
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 输出功率 / Output Power : 2.8 to 3 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 to 2.4 V
- 工作电流 / Operating Current : 3.5 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 0.3 to 0.8 A
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Array
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
Vertilite Inc位于硅谷中心的加利福尼亚州森尼韦尔，是一家全球运营的创新型初创公司，提供高功率和高速VCSEL（垂直腔面发射激光器）解决方案。我们设计和制造VCSEL（650nm至1000nm），用于从高速光通信到生物医学、工业、汽车和消费产品中的光学传感的广泛应用。Vertilite Inc成立于2015年，由斯坦福大学的前实验室成员和业内经验丰富的科学家和工程师组成。凭借我们投资者的强大资金支持，以及与美国和亚洲领先晶圆厂的合作伙伴关系，我们已经展示了大规模生产能力，设备性能位居世界前列。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FAXD-830-1W-100-XX半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
FAXD-830-1W-100-XX是一款多模半导体激光二极管，在830nm处具有1W连续输出功率。发射极尺寸为100µm。它适用于各种光电应用。
- LASER DIODE FIDL-100S-850D-60半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 100mW
FIDL-100S-850D-60是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-850D-60是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。它工作在-60ºC+60°C的宽温度范围内。激光二极管适用于军事、空间、恶劣工业应用中的各种光电系统。
- LASER DIODE FIDL-20S-980X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 20mW
FIDL-20S-980X是用MOCVD半导体激光器制作的980nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。
- HL7001MG半导体激光器Ushio Inc.
波长: 695 to 715 nm输出功率: 0.05 W
Ushio Inc.的HL7001MG是波长为695至715nm、输出功率为0.05W、工作电压为2.5V、工作电流为75至100mA、阈值电流为30至60mA的激光二极管。有关HL7001MG的更多详细信息，请参阅下文。
- M9-940-0200-XXX半导体激光器Sheaumann Laser
波长: 940 nm输出功率: 200 mW
Sheaumann Laser的M9-940-0200是一种激光二极管，工作波长为940 nm.连续输出功率为200mW，斜率效率为0.9W/A，在FWHM处的发散角为30°（垂直远场）和8°（水平远场）。它需要30 mA的阈值电流，并消耗260 mA的电流。该激光二极管具有带可选光电二极管和微透镜的AR涂层窗口。它采用9mm TO-CAN封装，是光学数据存储、激光雷达和飞行时间应用的理想选择。
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