《Opto-Electronic Science》发表了一篇新文章,回顾了光学纳米粒子的基本原理和应用。光学纳米粒子是光子学的关键要素之一。它们不仅能对大量系统(从细胞到微电子学)进行光学成像,还能充当高灵敏度的远程传感器。
概述
来自Teradian的TAD#20X是具有波长1468、1470、1472nm、1488、1490、1492nm、1508、1510、1512nm、1528、1530、1532nm、15 48、1550、1552nm、15 68、1570、1572nm、1 588、1 590、1 592nm、1608、1610、1612nm的激光二极管,输出功率2mW,输出功率2mW,工作电流40mA,工作电流40 mA.TAD#20X的更多细节可以在下面看到。
参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 输出功率 / Output Power : 2 mW
- 工作电流 / Operating Current : 40 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 10 to 15 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAsP
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- UT5-10G-635 LASER DIODE MODULE半导体激光器World Star Tech
输出功率: 10mW
UT系列激光模块是完全独立的集成激光驱动电路,表面抛光玻璃非球面透镜光学器件,激光二极管。独特的性能包括紧凑的阳极氧化铝机身,精细可调焦距,清洁光束,低发散度,高瞄准精度和工业强度。大多数UT系列激光模块的调制频率可达1MHz。UT系列激光器可添加光束整形光学器件。请联系我们了解您的定制要求
- QFLD-1240-350S半导体激光器QPhotonics
波长: 1170 to 1280 nm输出功率: 0.35 to 0.45 W
来自Qphotonics的QFLD-1240-350S是波长为1170至1280nm的激光二极管,输出功率为0.35至0.45W,工作电压为1.7至1.9V,工作电流为1.05至1.3A,阈值电流为120至180mA.有关QFLD-1240-350S的更多详细信息,请参阅下文。
- QFLD-795-50S半导体激光器QPhotonics
波长: 794.7 nm输出功率: 0 to 0.0505 W
来自Qphotonics的QFLD-795-50S是波长为794.7nm的激光二极管,输出功率为0至0.0505W,工作电压为1.89V,工作电流为0.13 5至0.148A,阈值电流为39mA.有关QFLD-795-50S的更多详细信息,请参阅下文。
- S7半导体激光器Leonardo Electronics US
波长: 760 to 830 nm输出功率: 100 to 300 W
来自Leonardo Electronics US的S7是激光二极管,其波长为760至830nm,输出功率为100至300W,工作电压为1.9至2.1V,工作电流为95至330A,阈值电流为10000至28000mA.S7的更多细节可以在下面看到。
- LU0975M500半导体激光器Lumics
波长: 970 to 980 nm输出功率: 0.5 W
LUICS的LU0975M500是一款激光二极管,波长为970至980 nm,输出功率为0.5 W,工作电压为1.75至1.95 V,工作电流为0.77至0.89 A,阈值电流为60 mA.有关LU0975M500的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
用于光通信和长距离激光雷达的具有极低多余噪声的新型光电二极管
光脉冲以闪光的形式出现,用于在高速光纤中传输信息,并越来越多地用于光探测和测距(LIDAR)的3维成像。
什么是直接二极管激光器(Direct Diode Lasers)?
直接二极管激光器(DDL)是一种激光振荡器,它使用棱镜和透镜来集中来自半导体激光器阵列组成的激光二极管(LD)堆栈模块的激光束
以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。