全部产品分类
光电查

QL85R6S-A/B/C

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书

更新时间:2024-02-07 10:43:01

型号: QL85R6S-A/B/CMOCVD grown 850 nm band AIGaAs laser diode with quantum well structure

QL85R6S-A/B/C概述

QL85R6S-A/B/C是一款由MOCVD技术生长的850nm波段AlGaAs激光二极管,具有量子阱结构。它是一个具有吸引力的光源,典型的光输出功率为200mW,适用于工业光学模块和传感器应用。

QL85R6S-A/B/C参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 840 to 860 nm
  • 输出功率 / Output Power : 200 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.8 to 2.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 180 to 240 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 40 to 85 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • 光输出功率 / Optical Output Power : 200mW
  • 阈值电流 / Threshold Current : 40-85mA
  • 工作电流 / Operating Current : 180-240mA
  • 斜率效率 / Slope Efficiency : 0.8-1.4mW/mA
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.8-2.6V
  • 激射波长 / Lasing Wavelength : 840-860nm
  • 平行光束发散角 / Beam Divergence θ|| : 5-13deg
  • 垂直光束发散角 / Beam Divergence θ⊥ : 13-23deg
  • 平行光束角 / Beam Angle Δθ|| : ±2deg
  • 垂直光束角 / Beam Angle Δθ⊥ : ±3deg
  • 监视电流 / Monitor Current : 0.01-1.5mA
  • 光学距离 / Optical Distance : ±60µm

QL85R6S-A/B/C应用

1.运动识别传感器
2.工业光学模块

QL85R6S-A/B/C特征

1.可见光输出:λp = 850nm
2.光功率输出:200mW CW
3.封装类型:TO-18 (5.6mmφ)
4.内置光电二极管用于监控激光二极管

QL85R6S-A/B/C图片集

QL85R6S-A/B/C图1

QL85R6S-A/B/C规格书

QL85R6S-A/B/C厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

相关内容

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    LASER DIODE FMTL-2200-500-90半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 500mW

    FMTL-2200-500-90是C-Mount上提供的CW多模注入半导体激光器。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 光电查
    PH785DBR Mercury Series半导体激光器Photodigm Inc.

    输出功率: 40mW

    785nm Mercury™系列高功率边发射激光器基于PhotoDigm先进的单频激光技术。它在紧凑的密封封装中提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理,以确保高功率可靠性。应用程序包括移动耐用性和可靠性至关重要的光谱仪器。

  • 光电查
    DFB-1630-005半导体激光器Sacher Lasertechnik

    波长: 1630 nm输出功率: 0.005 W

    来自Sacher Lasertechnik的DFB-1630-005是波长为1630 nm、输出功率为0.005 W、输出功率(CW)为0.005 W的激光二极管。有关DFB-1630-005的更多详细信息,请参见下文。

  • 光电查
    24XX nm high power diode半导体激光器Brolis Semiconductors

    波长: 2433 nm输出功率: 0.5 W

    Brolis Semiconductors的24xx nm高功率二极管是一种连续波法布里-珀罗激光二极管,工作波长为2450 nm.单发射器可提供高达600 MW的功率,激光棒可提供超过5 W的功率。该设备基于Brolis公司专有的GaSb I型激光技术,并在Brolis公司最先进的洁净室设施中进行开发,包括在市场上最大的3英寸GaSb衬底平台上进行先进的多晶片分子束外延。这种单TE00偏振激光器需要1.4 V的电源,消耗高达6 A的电流。它采用TO-CAN封装,腔长为1.0/1.5/2.0 mm,发射极宽度为90/120/150µm,非常适合安全、医疗、研究和检测应用。

  • 光电查
    AF4B120ED75L半导体激光器Anritsu Corporation

    波长: 1460 to 1490 nm输出功率: 0.2 W

    来自Anritsu Corporation的AF4B120ED75L是波长为1460至1490 nm、输出功率为0.2 W、工作电压为2 V、阈值电流为70至150 mA、输出功率(CW)为0.2 W的激光二极管。有关AF4B120ED75L的更多详细信息,请参见下文。

相关文章