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QL85J6S-A/B/C-L

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL85J6S-A/B/C-LMOCVD grown 850 nm band AIGaAs laser diode with quantum well structure

概述

来自Quantum Semiconductor International的QL85J6S-A/B/C-L是波长为845至865 nm、输出功率为40 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为70至110 mA的激光二极管。有关QL85J6S-A/B/C-L的更多详细信息,

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 845 to 865 nm
  • 输出功率 / Output Power : 40 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2 to 2.5 V
  • 工作电流 / Operating Current : 70 to 110 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 30 to 45 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

规格书

厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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