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QL82R6S-A/B/C

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL82R6S-A/B/CMOCVD grown 842 nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure

QL82R6S-A/B/C概述

QL82R6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为819至829 nm,输出功率为200 MW,工作电压为1.8至2.6 V,工作电流为210至240 mA.有关QL82R6S-A/B/C的更多详细信息,

QL82R6S-A/B/C参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 819 to 829 nm
  • 输出功率 / Output Power : 200 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.8 to 2.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 210 to 240 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 50 to 80 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

QL82R6S-A/B/C规格书

QL82R6S-A/B/C厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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