半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比，它们的效率更高，成本更低，所需的功率也更小，因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
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QL80T4HD-Y
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: QL80T4HD-YMOCVD grown 808 nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure
QL80T4HD-Y概述
Quantum Semiconductor International的QL80T4HD-Y是一款激光二极管，波长为785至830 nm，输出功率为1 W，工作电压为2至2.5 V，工作电流为1.1至1.5 A.有关QL80T4HD-Y的更多详细信息，
QL80T4HD-Y参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 785 to 830 nm
- 输出功率 / Output Power : 1 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2 to 2.5 V
- 工作电流 / Operating Current : 1.1 to 1.5 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 0.25 to 0.30 A
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
QL80T4HD-Y图片集
QL80T4HD-Y规格书
QL80T4HD-Y厂家介绍
凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。
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图片名称分类制造商参数描述
- 131D-02E-LCT11-50x半导体激光器MACOM
波长: 1310 nm
Macom的131D-02E-LCT11-50X是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-20至85摄氏度。有关131D-02E-LCT11-50X的更多详细信息，请参见下文。
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波长: 1625 nm输出功率: 0.03 to 0.03 W
OSI Laser Diode，Inc.的SCW Instrument Series是一种激光二极管，波长为1625 nm，输出功率为0.03至0.03 W，工作电压为1.2至1.6 V，阈值电流为45 mA，输出功率（CW）为0.03至0.03 W.有关SCW Instrument Series的更多详细信息，请参见下文。
- IND02L400D102半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 1295.56 nm波长: 见下表
来自II-VI Incorporated的IND02L400D102是波长为1295.56nm、工作电压为1.6V、工作电流为60至80mA、阈值电流为5至17mA的激光二极管。有关IND02L400D102的更多详细信息，请参阅下文。
- 150W 30FFx4 mm半导体激光器Coherent Inc.
波长: 965 to 985 nm输出功率: 150 W
Coherent Inc.的150W 30FFx4 mm是一款激光二极管，波长为965至985 nm，输出功率为150 W，工作电压为1.5至1.7 V，工作电流为165至175 A.有关150W 30FFx4 mm的更多详细信息，请参见下文。
- DFB-1688-005半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 1688 nm输出功率: 0.005 W
来自Sacher Lasertechnik的DFB-1688-005是一款激光二极管，波长1688 nm，输出功率0.005 W，工作电流85至120 mA，阈值电流15至45 mA，输出功率（CW）0.005 W.DFB-1688-005的更多详情见下文。
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