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QL78I6S-A/B/C-L

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL78I6S-A/B/C-LMOCVD grown 780 nm band AlGaAs laser diode with quantum well structure

QL78I6S-A/B/C-L概述

QL78I6S-A/B/C-L来自Quantum Semiconductor International,是一种激光二极管,波长为770至800 nm,输出功率为25 MW,工作电压为1.6至2.3 V,工作电流为30至60 mA.有关QL78I6S-A/B/C-L的更多详细信息,

QL78I6S-A/B/C-L参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 770 to 800 nm
  • 输出功率 / Output Power : 25 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 to 2.3 V
  • 工作电流 / Operating Current : 30 to 60 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 15 to 25 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : AlGaAs Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

QL78I6S-A/B/C-L图片集

QL78I6S-A/B/C-L图1

QL78I6S-A/B/C-L规格书

QL78I6S-A/B/C-L厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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