人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗（FP）激光器到 DFB 和 DBR 激光器，这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。
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QL67F6S-A/B/C
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: QL67F6S-A/B/CMOCVD grown 670 nm band Gain-Guided type InGaAlP laser diode with quantum well structure
QL67F6S-A/B/C概述
来自Quantum Semiconductor International的QL67F6S-A/B/C是波长为660至680 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为50至70 mA的激光二极管。有关QL67F6S-A/B/C的更多详细信息，
QL67F6S-A/B/C参数
- 技术 / Technology : Quantum Well
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 660 to 680 nm
- 输出功率 / Output Power : 10 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.3 to 2.6 V
- 工作电流 / Operating Current : 50 to 70 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 40 to 60 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
- 激光颜色 / Laser Color : Red
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
QL67F6S-A/B/C规格书
QL67F6S-A/B/C厂家介绍
凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力，QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。
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图片名称分类制造商参数描述
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Rohm Semiconductor的RLD65MZT7是波长为652至668nm的激光二极管，输出功率为0至0.007W，工作电压为2.3至2.8V，工作电流为0.015至0.04A，阈值电流为15至40mA.有关RLD65MZT7的更多详细信息，请参阅下文。
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