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QL65I7S-A/B/C-H

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL65I7S-A/B/C-HMOCVD grown 650 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure

QL65I7S-A/B/C-H概述

Quantum Semiconductor International的QL65I7S-A/B/C-H是一种激光二极管,波长为645至665 nm,输出功率为35 MW,工作电压为1.8至2.6 V,工作电流为40至110 mA.有关QL65I7S-A/B/C-H的更多详细信息,

QL65I7S-A/B/C-H参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 645 to 665 nm
  • 输出功率 / Output Power : 35 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.8 to 2.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 40 to 110 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 20 to 30 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Red
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

QL65I7S-A/B/C-H图片集

QL65I7S-A/B/C-H图1

QL65I7S-A/B/C-H规格书

QL65I7S-A/B/C-H厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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