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QL63H5SA/B/C-R1

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更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: QL63H5SA/B/C-R1MOCVD grown 635 nm band InGaAlP laser diode with quantum well structure

概述

来自Quantum Semiconductor International的QL63H5SA/B/C-R1是波长为634至644 nm、输出功率为20 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为75至85 mA的激光二极管。有关QL63H5SA/B/C-R1的更多详细信息,

参数

  • 技术 / Technology : Quantum Well
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 634 to 644 nm
  • 输出功率 / Output Power : 20 mW
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.3 to 2.6 V
  • 工作电流 / Operating Current : 75 to 85 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 50 to 60 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAlP Lasers
  • 激光颜色 / Laser Color : Red
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

图片集

QL63H5SA/B/C-R1图1
QL63H5SA/B/C-R1图2
QL63H5SA/B/C-R1图3
QL63H5SA/B/C-R1图4
QL63H5SA/B/C-R1图5

规格书

厂家介绍

凭借在开发新型光子器件方面的卓越能力,QSI公司致力于成为世界一流的激光二极管专业公司。

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图片名称分类制造商参数描述
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