单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
更新时间:2023-02-07 16:00:24
概述
Kryptronic Technologies的GCSLX-B09-001-2是一款激光二极管,波长为635 nm,输出功率为1 W,输出功率为1 W,工作电压为7 V,工作电流为1 A.有关GCSLX-B09-001-2的更多详细信息,
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
输出功率: 10mW
FIDL-10S-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-10S-1064X是一款连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。
微米照明器激光器。
波长: 1512nm
Vertilas的长波长VCSEL技术为应用光谱和气体检测方法的各种应用提供了广泛的产品。该产品系列提供多种包装选择,从用于原型制作的开放式包装到带有盖子和防反射涂层窗口的密封包装。它还包括尾纤解决方案,并可根据要求提供更多客户特定选项。高性能的Vertilas技术和产品使客户能够设计和制造具有高灵敏度、低功耗、小系统尺寸和低成本制造的光谱解决方案。
波长: 803 nm
II-VI Incorporated的SEC4-808B-01是一款激光二极管,波长为803 nm,工作电压为1.9 V,工作电流为4 A,阈值电流为0.6 A.SEC4-808B-01的更多详情见下文。
波长: 1625 to 1670 nm输出功率: 0.01 W
来自NTT Electronics Corporation的NLK1U5EAAA是波长为1625至1670 nm、输出功率为10 MW、输出功率为0.01 W、阈值电流为15至20 mA、输出功率(CW)为0.01 W的激光二极管。NLK1U5EAAA的更多细节可参见下文。
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