全部产品分类
NX8601BF-AA 半导体激光器

NX8601BF-AA

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
美国
厂家:CEL

更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: NX8601BF-AADFB Laser Diodes > High Power Pulsed Lasers

概述

CEL的NX8601BF-AA是一款激光二极管,波长为1620至1630 nm,输出功率为25至80 MW,输出功率为0.025至0.08 W,阈值电流为20至60 mA,工作温度为0至60摄氏度。有关NX8601BF-AA的更多详细信息,

参数

  • 技术 / Technology : Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB), Fabry-Perot (FP)
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser, Pulsed Laser
  • 波长 / Wavelength : 1620 to 1630 nm
  • 输出功率 / Output Power : 0.025 to 0.08 W
  • 阈值电流 / Threshold Current : 20 to 60 mA
  • 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAsP
  • 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode

规格书

厂家介绍

California Eastern Labs(CEL)设计和制造用于IEEE 802.15.4、ZigBee、线程、Wi-Fi和蓝牙的模块。他们也是Renesas Electronics Corporation的化合物半导体器件在美洲的较先销售和营销合作伙伴。

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    Discrete Mode Laser Diode EP1392-DM-B半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 8mW

    EP1392-DM-B激光二极管,适用于波长为1378-1400nm,专为检测H2O而设计。Eblana的离散模式(DM)技术能够设计出具有无跳模可调谐性和出色的SMSR的高性价比器件。

  • 光电查
    Seminex Fiber-coupled High Power IR Multi-Mode Laser 1565nm 36W N137半导体激光器FrankFurt Laser Company

    波长: 1565nm输出功率: 36000mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 光电查
    SemiNex High Power Multi-Mode Laser Diodes on C-Mount 1595nm 3W半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 3000mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 光电查
    QFLD-980-50S半导体激光器QPhotonics

    波长: 977 nm输出功率: 0 to 0.05 W

    Qphotonics公司的QFLD-980-50S是波长为977nm的激光二极管,输出功率为0~0.05W,工作电压为1.51V,工作电流为0.158~0.158A,阈值电流为28mA.有关QFLD-980-50S的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    RLD2WMNL2-01x半导体激光器ROHM Semiconductor

    波长: 658 to 668 nm输出功率: 0 to 0.007 W

    Rohm Semiconductor的RLD2WMNL2-01X是波长为658至668nm的激光二极管,输出功率为0至0.007W,工作电压为2.3至2.8V,工作电流为0.018至0.035A,阈值电流为18至35mA.有关RLD2WMNL2-01x的更多详细信息,请参见下文。

相关文章