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下载规格书 紧凑型光子芯片的精确热控制：玻璃基板集成微热电冷却器（SimTEC）
光子学提供了各种优势，包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的，包括集成在光子芯片上的各种光子元件。
全部产品分类
概述
来自CEL的NX8369TS是波长为1290至1330nm、输出功率为0.5mW、输出功率为0至0.0005W、工作电压为0.5至2.2V、阈值电流为2至30mA的激光二极管。有关NX8369TS的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1290 to 1330 nm
- 输出功率 / Output Power : 0 to 0.0005 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 0.5 to 2.2 V
- 阈值电流 / Threshold Current : 2 to 30 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAs
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
California Eastern Labs（CEL）设计和制造用于IEEE 802.15.4、ZigBee、线程、Wi-Fi和蓝牙的模块。他们也是Renesas Electronics Corporation的化合物半导体器件在美洲的较先销售和营销合作伙伴。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- LDX-3115-660-FC - Fiber Coupled Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 660nm输出功率: 700mW
这些高功率激光二极管以低阈值电流和高斜率效率为特征，导致低工作电流，增强了可靠性。如果需要，可提供L10、L11、L12、L13标准封装类型和定制封装。适用于各种光电应用。关键特征高输出功率/；亮度高效率提供多种封装和光纤选项提供定制包装提供自定义波长。
- VLM-635-01 SPA Industrial Use Laser半导体激光器Quarton Inc
输出功率: 3mW
工业用激光VLM-635/650-01系列
- LP8M10-23-6半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
波长: 850 nm输出功率: 1 to 1 W
来自OSI Laser Diode，Inc.的LP8M10-23-6是波长为850 nm、输出功率为1至1 W、阈值电流为250 mA、输出功率（CW）为1至1 W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。关于LP8M10-23-6的更多细节可参见下文。
- RLT1064-100GS半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 1061 to 1074 nm输出功率: 0.1 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT1064-100GS是波长为1061至1074 nm的激光二极管，输出功率为0.1 W，工作电压为1.6至2 V，工作电流为0.21至0.24 A，阈值电流为30至55 mA.有关RLT1064-100GS的更多详细信息，请参阅下文。
- GCSLX-05-002-1半导体激光器Kryptronic Technologies
波长: 808 nm输出功率: 2 W
Kryptronic Technologies的GCSLX-05-002-1是一款激光二极管，波长为808 nm，输出功率为2 W，输出功率为2 W，工作电压为2 V，工作电流为2.5 A.GCSLX-05-002-1的更多详细信息见下文。
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