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下载规格书 使用激光，研究人员可以直接控制核子的自旋，这可以编码量子信息
原则上，基于量子的设备，如计算机和传感器，在执行许多复杂任务时可以大大超过传统的数字技术。
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NX8349TB概述
来自CEL的NX8349TB是波长为1290至1330nm的激光二极管，输出功率为0.63mW，输出功率为0至0.00063W，工作电压为0.5至2.2V，阈值电流为2至30mA.有关NX8349TB的更多详细信息，
NX8349TB参数
- 技术 / Technology : Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1290 to 1330 nm
- 输出功率 / Output Power : 0 to 0.00063 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 0.5 to 2.2 V
- 阈值电流 / Threshold Current : 2 to 30 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAsP
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
NX8349TB图片集
NX8349TB规格书
NX8349TB厂家介绍
California Eastern Labs（CEL）设计和制造用于IEEE 802.15.4、ZigBee、线程、Wi-Fi和蓝牙的模块。他们也是Renesas Electronics Corporation的化合物半导体器件在美洲的较先销售和营销合作伙伴。
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图片名称分类制造商参数描述
- FDL-765-1W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主Oszillator功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPaseTUP的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光学陷阱或拉曼光谱。
- LASER DIODE FOLD-691-45S-VBG半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 45mW
FOLD-691-45S-VBG是一种单模半导体激光器在691nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定，光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。
- MLD980-5S5N半导体激光器MeshTel
波长: 975 to 995 nm输出功率: 0.005 W
Meshtel的MLD980-5S5N是一款激光二极管，波长为975至995 nm，输出功率为0.005 W，工作电流为0.03至0.04 A，阈值电流为15至25 mA，输出功率（连续波）为0.005 W.有关MLD980-5S5N的更多详细信息，请参见下文。
- 131D-02I-LT5CB半导体激光器MACOM
波长: 1310 nm
Macom的131D-02I-LT5CB是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-40至85摄氏度。有关131D-02I-LT5CB的更多详细信息，请参见下文。
- L4-9897510-100E半导体激光器Lumentum Operations LLC
波长: 963 to 985 nm输出功率: Up to 10 W
Lumentum Operations LLC的L4-9897510-100E是一款激光二极管，波长为963至985 nm，输出功率高达10 W，工作电流为11.4至13 A，阈值电流为700至950 mA，输出功率（CW）高达10 W.有关L4-9897510-100E的更多详细信息，请参见下文。
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