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下载规格书 KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法，使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
全部产品分类
概述
CEL的NX7535AN-AA是一款激光二极管，波长为1470至1510 nm，输出功率为60至90 MW，输出功率为0.06至0.09 W，阈值电流为15至50 mA，工作温度为-20至60摄氏度。有关NX7535AN-AA的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Multi-Quantum Well (MQW), Distributed Feedback (DFB), Fabry-Perot (FP)
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 1470 to 1510 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.06 to 0.09 W
- 阈值电流 / Threshold Current : 15 to 50 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAsP
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
California Eastern Labs（CEL）设计和制造用于IEEE 802.15.4、ZigBee、线程、Wi-Fi和蓝牙的模块。他们也是Renesas Electronics Corporation的化合物半导体器件在美洲的较先销售和营销合作伙伴。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- 670nm High Powered Diode Laser半导体激光器Process Instruments Inc.
波长: 670nm输出功率: 400mW
我们的标准激光器通过100 um光纤提供高达400 MW的功率，如有要求，可提供高达1，500 MW的高功率能力。
- LASER DIODE FAXD-1064-300S-XX半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 300mW
FAXD-1064-300S-XX是在1064nm处具有300mW连续输出功率的单模半导体激光二极管。它适用于各种光电应用。
- CVD 60半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
波长: 905 nm输出功率: 4 W
来自OSI Laser Diode，Inc.的CVD 60是波长为905nm、输出功率为4W、输出功率（CW）为4W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。
- RLCO-808-1000G半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 803 to 813 nm输出功率: 1 W
Roithner Lasertechnik的RlCO-808-1000G是波长为803至813 nm的激光二极管，输出功率为1 W，工作电压为1.6至2.2 V，工作电流为0至1.3 A，阈值电流为260 mA.有关RlCO-808-1000G的更多详细信息，请参阅下文。
- LD-0405-0065-1半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 404.0 nm输出功率: 0.065 W
Toptica Photonics的LD-0405-0065-1是一款激光二极管，波长为404.0 nm，输出功率为0.065 W，输出功率（CW）为0.065 W.有关LD-0405-0065-1的更多详细信息，请参见下文。
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