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下载规格书 由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
全部产品分类
NV4V31MF概述
CEL的NV4V31MF是一款激光二极管，波长为400至415 nm，输出功率为175 MW，输出功率为0至0.175 W，阈值电流为35至55 mA，工作温度为-5℃至85℃。有关NV4V31MF的更多详细信息，
NV4V31MF参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 400 to 415 nm
- 输出功率 / Output Power : 0 to 0.175 W
- 阈值电流 / Threshold Current : 35 to 55 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Blue, Violet
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
NV4V31MF规格书
NV4V31MF厂家介绍
California Eastern Labs（CEL）设计和制造用于IEEE 802.15.4、ZigBee、线程、Wi-Fi和蓝牙的模块。他们也是Renesas Electronics Corporation的化合物半导体器件在美洲的较先销售和营销合作伙伴。
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图片名称分类制造商参数描述
- 1064 nm Laser Diode | PH1064DBR Series半导体激光器Photodigm Inc.
输出功率: 40mW
PH1064DBR系列高功率边缘发射激光器基于PhotoDigm先进的单频激光技术。它提供衍射受限的单一横向和纵向模式光束。小平面经过钝化处理，以确保高功率可靠性。1064nm激光二极管的应用包括光纤放大器注入、二次谐波产生、光谱学、差频产生和低功率DPSS替换。
- FBLD-793-40W-FC200-2Pin半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 793nm输出功率: 40000mW
光纤耦合大功率激光二极管
- QFLD-650-2AX半导体激光器QPhotonics
波长: 649.8 nm输出功率: 0 to 0.002 W
来自Qphotonics的QFLD-650-2AX是波长为649.8nm、输出功率为0至0.002W、工作电压为2.18V、工作电流为0.027至0.03A、阈值电流为13mA的激光二极管。有关QFLD-650-2AX的更多详细信息，请参阅下文。
- VGP00012v5半导体激光器II-VI Incorporated
输出功率: 3.75 W
II-VI Incorporated的VGP00012V5是一款激光二极管，输出功率为3.75 W，输出功率为3.75 W，工作电压为2.15 V，工作电流为4 A.有关VGP00012V5的更多详细信息，请参见下文。
- QD9550CM1半导体激光器Thorlabs Inc
波长: 9500 to 9600 nm(9.5 to 9.6 µm)输出功率: 0.04 W
Thorlabs Inc的QD9550CM1是一款激光二极管，波长为9500至9600 nm（9.5至9.6µm），输出功率为0.04 W，工作电流为0至1.35 A，输出功率（CW）为0.04 W.有关QD9550CM1的更多详细信息，请参见下文。
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