NLK1B5GAAA

波长: 635nm输出功率: 20mW

光纤耦合单模半导体激光器

Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片，在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

输出功率: 175mW

World Star Tech提供采用5.6mm封装的405nm至830nm专用激光二极管。这些激光二极管具有作为激光激发源的应用。窄波长785nm激光二极管适用于拉曼光谱。激光二极管波长选择和激光二极管的特性可根据要求提供。所有激光二极管均可光纤耦合或集成到即插即用模块/系统中。WLD-175-405激光二极管具有单模。WLD-175-405是生物医学应用的理想选择，要求可靠的操作，具有长寿命和稳定的输出功率。

波长: 840 to 850 nm输出功率: 7 mW

来自Laser Components的ADL-85051TA4是波长为840至850 nm、输出功率为7 MW、工作电压为2.5至6 V、工作电流为26至35 mA的激光二极管。有关ADL-85051TA4的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 1060 nm输出功率: 12 W

来自Innolume的LD-10XX-BA-12W是一款激光二极管，波长为1060 nm，输出功率为12 W，工作电流为14至16 A，阈值电流为900至1300 mA，输出功率（连续波）为12 W.有关LD-10XX-BA-12W的更多详细信息，请参见下文。