全部产品分类
9025-02-008 半导体激光器

9025-02-008

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书
英国

更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: 9025-02-008635nm 5mW 50 Degree 5.6mm TO, Can N, type Laser Diode

9025-02-008概述

来自Global Laser Ltd的9025-02-008是具有量子阱结构的MOCVD生长的635nm波段InGaAs激光二极管。它是一种有吸引力的光源,典型的光输出功率为5mW.该二极管是一种单模、单频激光器,采用TO-18封装。

9025-02-008参数

  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 630 to 640 nm
  • 输出功率 / Output Power : 0.005 W
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2.2 to 2.7 V
  • 工作电流 / Operating Current : 34 to 50 mA
  • 阈值电流 / Threshold Current : 30 to 40 mA
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

9025-02-008规格书

9025-02-008厂家介绍

广泛OEM高性能激光二极管模块的专业制造商,用于机器视觉、对准、医疗、测量、科学和军事应用。定制解决方案。ISO 9001注册。

相关内容

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    ARR291P1800 H Package Laser Diode Array半导体激光器Cutting Edge Optronics

    输出功率: 1800000mW

    H PackageLaser DiodeArray专为直接二极管应用(如脱毛和塑料焊接)而设计。该封装采用二维配置,脉冲持续时间为0.5ms至300ms,每巴功率高达150瓦。标准封装提供8巴、10巴和12巴垂直堆叠(可根据要求提供定制选项)。小而紧凑的设计由非去离子标准过滤水冷却,使安装和维护更具成本和时间效率。该封装采用AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以实现更坚固的组装,从而提高可靠性。

  • 光电查
    FPD-XXXS-1083-YY-DBR Laser Diode 1083nm DBR半导体激光器FrankFurt Laser Company

    FPD-XXXS-1083-YY-DBR激光二极管1083nm DBR。

  • 光电查
    LDX-3310-860: 860nm Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.

    输出功率: 3000mW

    该860nm二极管激光器从自由空间封装中的100um发射器产生3000mW,或者从光纤耦合封装中的光纤产生2400mW。它具有低阈值电流和高斜率效率,这导致了增强可靠性的低工作电流。

  • 光电查
    M976±0.5-140-F105/22-DK半导体激光器PhotonTec Berlin

    波长: 1030 to 1100 nm输出功率: 140 W

    来自Photontec Berlin的M976±0.5-140-F105/22-DK是一款激光二极管,波长为1030至1100 nm,输出功率为140000 MW,输出功率为140 W,工作电压为31.5 V,工作电流为10 A.有关M976±0.5-140-F105/22-DK的更多详细信息,请参见下文。

  • 光电查
    14PDF-102半导体激光器SemiNex Corporation

    波长: 1560 nm(+/-20)输出功率: 0 to 5.2 W

    Seminex公司的14PDF-102是一款多模激光器,平均功率为5.2 W,工作波长为1560 nm.该激光器采用14针可拆卸光纤封装,配有热电冷却器。它专为医疗激光OEM、DPSS泵浦和自由空间通信应用而设计。可根据要求提供定制波长和封装配置。

相关文章