LDS-1330-DFB-10G-10/30概述
LASERSCOM的LDS-1330-DFB-10G-10/30是一种激光二极管,波长为1325至1335 nm,输出功率为10至30 MW,工作电压为1.6至2 V,工作电流为100至120 mA.有关LDS-1330-DFB-10G-10/30的更多详细信息,
LDS-1330-DFB-10G-10/30参数
- 技术 / Technology : Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW)
- 工作模式 / Operation Mode : CW/Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 1325 to 1335 nm
- 输出功率 / Output Power : 10 to 30 mW
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.6 to 2 V
- 工作电流 / Operating Current : 100 to 120 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 8 to 10 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
- 标签 / Tags : LDS Series
LDS-1330-DFB-10G-10/30图片集
LDS-1330-DFB-10G-10/30规格书
LDS-1330-DFB-10G-10/30厂家介绍
相关内容
相关产品
- CLS051B-S1383 Ultra-Narrow Linewidth Laser半导体激光器DenseLight Semiconductors
DenseLight DL-BF9-CLSYYYB-SZZZZ是一系列超窄线宽激光器,设计用于光学计量仪器和光学气体化学传感应用,需要窄光谱线宽、出色的SMSR、功率稳定性和非常高的波长稳定性激光输出。DL-BF9-CLSYYYB-SZZZZ配有DenseLight 14引脚BTF封装激光器、集成激光驱动器和温度控制器。它可在O、E、S、C和L波段的宽波长范围内使用,并可通过各种选项进行定制,以满足您的特定需求。
- High-power diode laser bar JDL-BAB-75-62-808-TE-300-1.5半导体激光器Jenoptik Laser GmbH
输出功率: 300000mW
高功率二极管激光棒:808 nm,300 W QCW JDL-BAB-75-62-808-TE-300-1.5
- Seminex High Power Multi-Mode Laser Diode 1560nm 1.6W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1600mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- TO9-117半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1560 nm(+/-20)输出功率: 9 W
来自Seminex公司的TO9-117是波长为1560nm(+/-20)、输出功率为9W、工作电压为6V、工作电流为35A的激光二极管。TO9-117的更多细节可参见下文。
- LD-0780-0080-AR-2半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 755 to 790 nm输出功率: 0.08 W
Toptica Photonics的LD-0780-0080-AR-2是一款激光二极管,波长为755至790 nm,输出功率为0.08 W,输出功率(CW)为0.08 W.有关LD-0780-0080-AR-2的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
初创公司Baraja为汽车应用提供制造 "随机调制连续波 "传感器所需的芯片
单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
锥形光纤是提供高能量、高光束质量的超快激光器的潜在器件