单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
概述
来自Anritsu Corporation的AF4Y115HA85J是波长为1450至1490nm、输出功率为0.15W、工作电压为2V、阈值电流为60mA、输出功率(CW)为0.15W的激光二极管。有关AF4Y115HA85J的更多详细信息,
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相关产品
输出功率: 130mW
Ushio Opto Semiconductor(USHIO/OPNEXT激光二极管)提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G(1000mW,405nm)紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG,这是Ushio的一款新型单模405nm二极管,较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率,可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管,可用作光学仪器的光源。Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外,还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性,这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL6545MG激光二极管具有单模和5.6 mm封装。HL6545MG是工业和传感器应用的理想选择,要求可靠运行,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。
输出功率: 80mW
蓝色激光二极管,采用TO56封装
波长: 808 nm输出功率: 2 W
Roithner Lasertechnik的LDM-0808-002W-35是波长为808 nm、输出功率为2 W、工作电压为2.5 V、工作电流为0至5.3 A、阈值电流为1100 mA的激光二极管。有关LDM-0808-002W-35的更多详细信息,请参阅下文。
波长: 652 to 664 nm输出功率: 100 mW
来自Achray Photonics的660nm激光模块是波长为652至664nm的激光二极管,输出功率为100mW,工作电压为2V,工作电流为100mA.有关660nm激光模块的更多详细信息,请参见下文。
8xxnm系列光纤输出半导体激光器(Fiber Coupled 8xxnm Diode Module)以其紧凑的结构、小巧的体积、轻盈的重量、可选择性波长锁定以及高功率密度等特点具有显著优势。此外,该激光器还具有稳定的性能和长寿命,适用于多种应用领域。
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