对来自 光纤耦合半导体激光管的光进行调制的最后一个解决方案是使用脉冲控制电子设备的电流驱动器进行直接调制。
AF4B135CD75L概述
来自Anritsu Corporation的AF4B135CD75L是波长为1460至1490 nm、输出功率为0.35 W、工作电压为2 V、阈值电流为100至150 mA、输出功率(CW)为0.35 W的激光二极管。有关AF4B135CD75L的更多详细信息,
AF4B135CD75L参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1460 to 1490 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.35 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2 V
- 阈值电流 / Threshold Current : 100 to 150 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
AF4B135CD75L规格书
AF4B135CD75L厂家介绍
相关内容
相关产品
- 940nm 45W Integrated Diode Laser System DioPower半导体激光器Laser Electronics GmbH
波长: 940nm输出功率: 45000mW
Diopower方便地提供了一个集成的二极管激光系统。包括所有必要的组件,如激光二极管、激光二极管驱动器、TEC驱动器和激光二极管冷却器。客户可以根据自己的要求选择合适的激光二极管。
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-400-1030nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 400mW
•400/600/670mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1010-1090nm •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- ILEE MOZIL13MM半导体激光器ILEE AG
输出功率: 1mW
iLee®Mozil13mm。
- QLD-658-20S半导体激光器QPhotonics
波长: 658 nm输出功率: 0 to 0.0209 W
来自Qphotonics的QLD-658-20S是波长为658nm的激光二极管,输出功率为0至0.0209W,工作电压为2.3V,工作电流为0.089至0.089A,阈值电流为61mA.有关QLD-658-20S的更多详细信息,请参阅下文。
- TTO-007-760-A半导体激光器TRUMPF
波长: 760 nm输出功率: 0.3 mW
来自TRUMPF的TTO-007-760-A,是波长为760nm具有TO5封装的单模锁偏窄线宽VCSEL激光器。输出功率为0.3mW,阈值电流为0.5-1mA,工作电流为1-2mA,线宽为100MHz。该产品集成的稳压二极管可减少激光组件的静电放电(ESD),锁偏功能在不牺牲功率效率的情况下实现偏振控制。TO封装将电子器件密封在外壳内部,即使是在严苛的环境条件下也不会损坏。该产品集成有TEC的TO外壳适合需要大温度窗口或者要求激光二极管具备光谱稳定性的应用。该产品非常适用于氧气传感技术。
相关文章
光功率测量基础知识(Optical Power Measurement)
当光子击中光电二极管材料时,可能会产生电子-空穴对,这取决于器件的量子效率。
光学参数振荡器optical parametric oscillator(OPO)是一种像激光一样的相干光源,但使用的是非线性晶体中的光学放大过程,而不是受激发射。由于
来自筑波大学的筑波能源材料科学研究中心的科学家们展示了一种简单的方法来生产离子液体微滴,这些微滴可以作为灵活、持久和可气动调节的激光器使用。