AF4B114AA75L

输出功率: 30mW

FIDL-30M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

输出功率: 1000mW

FMTL-1910-1000-150是C-Mount上提供的CW多模注入半导体激光器。该激光二极管适用于各种光电系统。

输出功率: 30mW

FNLD-30S-1035C是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1035nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-30S-1035C是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

埃尔克工业有限责任公司宣布其新型号3200S便携式通用半导体激光器。这款IIIA类激光器是“手工制作”的，符合和/或超过联邦标准21 CFR 1040.10的安全和报告要求。激光标记标签和抛光青铜激光头进一步补充了美观的保护外壳。一根4英尺长的电缆将激光头连接到控制外壳。R-K制造公司现在是Elk Industries，LLC的一个部门，自1983年以来一直在设计和制造经过认证的激光器。3200S型激光器本质上是流行的3200型便携式He-Ne激光器的轻型半导体激光器版本。作为一种便携式激光系统，3200S型激光器通过其可充电能量存储器工作，一次充电可工作6小时以上。该3200S激光器可执行脉冲或连续波功能，从而为大量研究、工业和教育项目以及冷激光治疗提供信号。由于对冷激光疗法的重视，Elk Industries开发了这种安全有效的激光系统，以满足这一领域的各种需求。新型号3200S用于工业、教育、通信、激光表演、校准和其他各种通用应用。考虑到这种独特的激光产品的广泛用途，激光器的定价相对较低。激光线生成、交叉图案或圆形图案生成以及各种光学器件、激光头支架、外部光学器件和外部光学器件或激光头的安装支撑底座均可供选择。

波长: 940 nm输出功率: 200 mW

Sheaumann Laser的M9-940-0200是一种激光二极管，工作波长为940 nm.连续输出功率为200mW，斜率效率为0.9W/A，在FWHM处的发散角为30°（垂直远场）和8°（水平远场）。它需要30 mA的阈值电流，并消耗260 mA的电流。该激光二极管具有带可选光电二极管和微透镜的AR涂层窗口。它采用9mm TO-CAN封装，是光学数据存储、激光雷达和飞行时间应用的理想选择。