LD-1178-0030-DFB-1

输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

输出功率: 250mW

FIDL-250M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

波长: 969 nm输出功率: 0 to 0.0051 W

来自Qphotonics的QFLD-950-5S是波长为969nm的激光二极管，输出功率为0至0.0051W，工作电压为1.95V，工作电流为0.049至0.054A，阈值电流为25mA.有关QFLD-950-5S的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 808 nm输出功率: 200 W

诺斯罗普·格鲁曼公司的ASM232P200是一个工作波长为808nm的激光二极管子模块。它产生200W（每巴）的最小QCW（准连续波）输出功率，并且具有2.5nm的光谱宽度。这种激光二极管是基于专有的硬焊料技术与扩展匹配的材料。它具有15 A的阈值电流，并提供长脉冲和/或高占空比。该激光二极管需要2 V的直流电源并消耗180 A的电流。它采用Golden Bullet封装，尺寸为394 X 250 X 68 mm，是材料加工、Ti：S泵浦、激光雷达、激光切割和激光喷丸应用的理想选择。

波长: 805 to 812 nm输出功率: 0.22 W

Opelus Technology Corporation的LD-808-2A-40-B-2是波长为805至812 nm的激光二极管，输出功率为0.22 W，工作电压为1.9至2.3 V，工作电流为250至280 mA，阈值电流为70至80 mA.有关LD-808-2A-40-B-2的更多详细信息，请参见下文。