由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
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M12-xxxx-420
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-23 15:51:45
型号: M12-xxxx-420Up to 600 mW Fiber Bragg Grating Stabilized Uncooled Mini-Butterfly 980 nm Pump Laser Modules
M12-xxxx-420概述
Lumentum Operations LLC的M12-XXXX-420是一款激光二极管，波长为980 nm，输出功率高达0.6 W，工作电流为1105 mA，阈值电流为170 mA，输出功率（CW）高达0.6 W.有关M12-XXXX-420的更多详细信息，
M12-xxxx-420参数
- 技术 / Technology : Fiber-Bragg-Grating Laser (FBG)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 980 nm
- 输出功率 / Output Power : Up to 0.6 W
- 工作电流 / Operating Current : 1105 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 170 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
M12-xxxx-420规格书
M12-xxxx-420厂家介绍
光和动力，动力和驱动力是我们工作的核心要素——自信地前进，发现光还能做什么。事实上，世界上的每一个通信网络——电信、企业或数据中心——都依赖于我们的光学元件和模块。我们的高性能商用激光器对于半导体芯片、智能手机、平板电脑、汽车和家电等产品的先进制造技术至关重要。
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图片名称分类制造商参数描述
- FDL-850-2W-TAL半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- 131D-02E-KT5TB半导体激光器MACOM
波长: 1310 nm
Macom的131D-02E-KT5TB是一款激光二极管，波长为1310 nm，工作温度为-20至85摄氏度。有关131D-02E-KT5TB的更多详细信息，请参见下文。
- SLD302V半导体激光器Sony Semiconductor Solutions Corporation
波长: 770 to 840 nm输出功率: 0.2 W
SLD302V是Sony Semiconductor Solutions Corporation生产的激光二极管，波长为770至840 nm，输出功率为0.2 W，工作电压为1.9至3 V，工作电流为0.35至0.5 A，阈值电流为150至200 mA.有关SLD302V的更多详细信息，请参见下文。
- DFB-1730-003半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 1730 nm输出功率: 0.003 W
Sacher Lasertechnik的DFB-1730-003是一款激光二极管，波长为1730 nm，输出功率为0.003 W，工作电流为65至120 mA，阈值电流为15至45 mA，输出功率（CW）为0.003 W.DFB-1730-003的更多详情见下文。
- LD-0940-0300-1半导体激光器TOPTICA Photonics
波长: 943.0 nm输出功率: 0.15 to 0.3 W
Toptica Photonics的LD-0940-0300-1是一款激光二极管，波长为943.0 nm，输出功率为0.15至0.3 W，输出功率（CW）为0.15至0.3 W.有关LD-0940-0300-1的更多详细信息，请参见下文。
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将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此（图2），在这种情况下，两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
什么是直接二极管激光器（Direct Diode Lasers）？
直接二极管激光器（DDL）是一种激光振荡器，它使用棱镜和透镜来集中来自半导体激光器阵列组成的激光二极管（LD）堆栈模块的激光束