BluGlass 收购其美国氮化镓代工厂并与美国团队签订半导体激光器开发协议
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L4S-94010-110F
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-23 15:51:45
型号: L4S-94010-110F915/940 nm Fiber-Coupled Diode Lasers
概述
Lumentum Operations LLC的L4S-94010-110F是一款激光二极管，波长为928至950 nm，输出功率为11 W，工作电流为13.6至15 A，阈值电流为700至950 mA，输出功率（连续波）为11 W.有关L4S-94010-110F的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 928 to 950 nm
- 输出功率 / Output Power : 11 W
- 工作电流 / Operating Current : 13.6 to 15 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 700 to 950 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
规格书
厂家介绍
光和动力，动力和驱动力是我们工作的核心要素——自信地前进，发现光还能做什么。事实上，世界上的每一个通信网络——电信、企业或数据中心——都依赖于我们的光学元件和模块。我们的高性能商用激光器对于半导体芯片、智能手机、平板电脑、汽车和家电等产品的先进制造技术至关重要。
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图片名称分类制造商参数描述
- Fabry-Pérot Laser Diode-LD-13XX-YY-300-1310nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 300mW
•150/250/300mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1280-1330nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
- FDL-890-2W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- Fiber Coupled iFLEX-iRIS -515nm 40mW半导体激光器Qioptiq
输出功率: 40mW
Qioptiq iFlex-IRIS™固态激光系统在小型化封装中提供高性能稳定性和低振幅噪声。它们非常适合集成到需要高性能但又需要保持小尺寸的仪器中。作为主动温度控制的结果，激光器是无跳模和波长稳定的。所有CW IFLEX-IRIS激光器均使用内部反馈回路在自动功率控制模式下工作。此功能提供高度稳定的输出功率，并确保在整个产品生命周期内保持高功率稳定性能。
- HL6364DG/65DG AlGaInP Laser Diode半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 65mW
HL6364DG/65DG AlGaInP半导体激光器。
- LASER DIODE FTLD-1410-05S半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5mW
FTLD-1410-05S是一种基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1410nm半导体激光器。FTLD-1410-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
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