以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
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VSxx-Y-250-808(Q)
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: VSxx-Y-250-808(Q)
概述
阿波罗仪器公司（Apollo Instruments，Inc.）的VSXX-Y-250-808（Q）是波长为808nm、输出功率为250W、工作电压为2V、工作电流为250A、阈值电流为26000mA的激光二极管。有关VSXX-Y-250-808（Q）的更多详细信息，
参数
- 巴条配置 / Bar Configuration : Vertical Stack
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 808 nm
- 输出功率 / Output Power : 250 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2 V
- 工作电流 / Operating Current : 250 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 26000 mA
- 半导体激光器巴条 / Laser Diode Bar : Yes
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Vertically Stacked
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
阿波罗仪器公司成立于1996年，是一家致力于应用光学和激光技术开发高性能仪器和设备的创业型公司。
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图片名称分类制造商参数描述
- LDM 6000W Diode Laser半导体激光器Laserline
波长: 900-1080nm输出功率: 6000000mW
节省空间的19英寸概念使工厂施工人员更容易集成激光器，从而使其成为标准的工业工具。无论是在经典的控制柜、加工站还是在互连生产工厂的传送带下方，创新设计都可以在生产区域集成LDM二极管激光器，从而节省空间。在标准控制柜中，在加工站中或在互连生产工厂的传送带下方，激光器不需要额外的空间，因此非常适合OEM应用。
- USHIO HL40085G 405nm 1000mW laser diode半导体激光器The Optoelectronics Company Ltd
输出功率: 1000mW
Ushio HL40085G 405nm 1000mW激光二极管
- BLD-1350-14BF半导体激光器Nolatech
波长: 1340 to 1350 nm输出功率: 0.06 W
BLD-1350-14BF是美国NOLATECH公司生产的激光二极管，波长1340~1350nm，输出功率0.06W，工作电压2.5V，工作电流0.2~0.25A，阈值电流30~50mA.有关BLD-1350-14BF的更多详细信息，请参阅下文。
- RLT1600-30G半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 1580 to 1620 nm输出功率: 0.03 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT1600-30G是一种激光二极管，波长为1580至1620 nm，输出功率为0.03 W，工作电压为2 V，工作电流为0至0.18 A，阈值电流为45 mA.有关RLT1600-30G的更多详细信息，请参阅下文。
- S30-xxxx-340半导体激光器Lumentum Operations LLC
波长: 980 nm输出功率: Up to 0.72 W
Lumentum Operations LLC的S30-XXXX-340是一款激光二极管，波长为980 nm，输出功率高达0.72 W，工作电压为2.31 V，工作电流为680 mA，阈值电流为35mA.有关S30-XXXX-340的更多详细信息，请参阅下文。
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