全部产品分类
GSxx-Y-200-940(Q) 半导体激光器

GSxx-Y-200-940(Q)

立即咨询获取报价获取报价收藏 收藏 下载规格书 下载规格书

更新时间:2023-02-07 16:00:24

型号: GSxx-Y-200-940(Q)

GSxx-Y-200-940(Q)概述

Apollo Instruments,Inc.的GSXX-Y-200-940(Q)是波长为940nm、输出功率为200W、工作电压为2V、工作电流为200A、阈值电流为30000mA的激光二极管。GSXX-Y-200-940(Q)的更多详情见下文。

GSxx-Y-200-940(Q)参数

  • 巴条配置 / Bar Configuration : Vertical Stack
  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 940 nm
  • 输出功率 / Output Power : 200 W
  • 工作电压 / Operating Voltage : 2 V
  • 工作电流 / Operating Current : 200 A
  • 阈值电流 / Threshold Current : 30000 mA
  • 半导体激光器巴条 / Laser Diode Bar : Yes
  • 堆栈/阵列 / Stack/Array : Vertically Stacked
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode

GSxx-Y-200-940(Q)规格书

GSxx-Y-200-940(Q)厂家介绍

阿波罗仪器公司成立于1996年,是一家致力于应用光学和激光技术开发高性能仪器和设备的创业型公司。

相关内容

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    FARL-100S-830-TO56 LASER DIODE 830nm 100mW半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 100mW

    FARL-100S-830-TO56激光二极管830nm 100mW。

  • 光电查
    LASER DIODE FIDL-250M-860X-E50半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 250mW

    FIDL-250M-860X-E50是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-250M-860X-E50是一款CW多模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 光电查
    LASER DIODE FTLD-1260-20S半导体激光器FrankFurt Laser Company

    输出功率: 20mW

    FTLD-1260-20S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1260nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1260-20S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 光电查
    UNMOUNTED CHIPS 760 - 830 nm半导体激光器Leonardo Electronics US

    波长: 760 to 830 nm输出功率: 0.5 to 8 W

    来自Leonardo Electronics US的未安装芯片760-830nm是波长为760至830nm的激光二极管,输出功率为0.5至8W,工作电压为1.8至2V,工作电流为0.5至8.5A,阈值电流为100至700mA.未安装芯片760-830纳米的更多细节可以在下面看到。

  • 光电查
    9025-00-146半导体激光器Global Laser Ltd

    Global Laser Ltd的9025-00-146是一款激光二极管,波长为1520至1580 nm(5mW),1495至1544 nm(3mW),输出功率为3/5 MW,输出功率为0.003/0.005 W,工作电压为1.1至1.5 V,工作电流为0.01至0.05 A.

相关文章