在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中,由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻(TPL)是一种基于激光的技术,可用于创建分辨率极高的三维结构,它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案,光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
D650-5
更新时间:2023-02-07 16:00:24
D650-5概述
US-Lasers,Inc.的D650-5是波长为645至655nm、输出功率为0至0.005W、工作电压为2.7V、工作电流为0.04至0.06A、阈值电流为20至40mA的激光二极管。有关D650-5的更多详细信息,
D650-5参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 645 to 655 nm
- 输出功率 / Output Power : 0 to 0.005 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 2.7 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.04 to 0.06 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 20 to 40 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Red
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
D650-5规格书
D650-5厂家介绍
相关内容
相关产品
- FBLD-635-0.010W-FC105-Coax半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 635nm输出功率: 10mW
光纤耦合激光二极管
- FDL-890-2W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- LDX-4119-690: Laser Diode Bar Package半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 12000mW
高功率二极管激光棒适用于要求较苛刻的应用。它们非常可靠、高效和耐用。这种高功率激光二极管棒采用标准CS封装。可根据要求提供其他套餐选项。我们的半导体产品易于使用标准焊接方法进行组装。该材料支持软焊料(铟)和硬焊料(金/锡)。
- UMB700P200半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 200 W
Northrop Grumman公司的UMB700P200是一种波长为808 nm、输出功率为200 W、工作电压为2 V、工作电流为175 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关UMB700P200的更多详细信息,请参阅下文。
- DFB laser diodes - 920 nm to 1100 nm半导体激光器nanoplus
波长: 1063 to 1065 nm输出功率: 0.02 W
来自Nanoplus的DFB激光二极管-920 nm至1100 nm是波长为1063至1065 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为2 V、工作电流为0.05 A、阈值电流为15至30 mA的激光二极管。DFB激光二极管(920 nm至1100 nm)的更多详细信息见下文。
相关文章
激光二极管是一种半导体设备,它将电能直接转换为一束聚焦的光。
半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法,使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。