对来自 光纤耦合半导体激光管的光进行调制的最后一个解决方案是使用脉冲控制电子设备的电流驱动器进行直接调制。
概述
来自Innolume的LD-12xx-TO-250是一款激光二极管,波长为1178 nm,输出功率为0.25 W,工作电流为0.45至0.65 A,阈值电流为80至180 mA,输出功率(CW)为0.25 W.有关LD-12xx-TO-250的更多详细信息,
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1178 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.25 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.45 to 0.65 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 80 to 180 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InAs/GaAs
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- FDL-1060-2W-TA Tapered Amplifier for MOPA半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。
- LPLDD-5A-24V-TP-H Laser Diode Driver半导体激光器Opt Lasers
单通道5 A,3.3-24 V激光二极管驱动器,带过热保护。根据许多客户的询问,该版本的LPLDD-5A-24V驱动器配备了热保护功能,如果温度超过45摄氏度,则会关闭激光二极管电路。额外的LED指示驾驶员的当前状态。10驱动程序的版本可用。
- Seminex Single-Mode Laser Chip 1630nm 0.3W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 300mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- Single Mode Fiber Coupled Laser Diode PL-WSLP-635-001m-4-PD半导体激光器PiLasers LLC
波长: 635nm输出功率: 1mW
单模光纤耦合激光二极管。
- ALC-690-1000-FM200.22半导体激光器AKELA Laser Corporation
波长: 690 nm输出功率: 1.0 W
Akela Laser公司的ALC-690-1000-FM200.22是波长为690 nm,输出功率为1.0 W,工作电压为2.3 V,工作电流为1.7 A,阈值电流为650 mA的激光二极管。有关ALC-690-1000-FM200.22的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
超窄线宽激光稳定技术在各种科学技术应用中发挥着重要作用,从高精度光谱到先进干涉测量。本文讨论了超窄线宽激光稳定技术及其应用。
光功率测量基础知识(Optical Power Measurement)
当光子击中光电二极管材料时,可能会产生电子-空穴对,这取决于器件的量子效率。
激光吸收光谱法是测定样品中气体组分浓度的一种重要方法。现代设备是高度专业化的,用于检测非常特殊的气体,如大气中的微量气体,燃烧废气和等离子体的技术应用。