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下载规格书 在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
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LD-10XX-YY-600概述
来自Innolume的LD-10XX-YY-600是一款激光二极管，波长为1020 nm，输出功率为0.6 W，工作电流为0.9至1.1 A，阈值电流为110至150 mA，输出功率（连续波）为0.6 W.有关LD-10XX-YY-600的更多详细信息，
LD-10XX-YY-600参数
- 技术 / Technology : Fabry-Perot Laser (FP)
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1020 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.6 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.9 to 1.1 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 110 to 150 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InAs/GaAs
- 数值孔径 / Numerical Aperture : 0.14, 0.12
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
- 光纤长度 / Fiber length : 100 ± 20 cm
- RoHS / RoHS : Yes
LD-10XX-YY-600规格书
LD-10XX-YY-600厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
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图片名称分类制造商参数描述
- SemiNex Laser Bars半导体激光器SemiNex Corporation
输出功率: 25000mW
Seminex高功率多模式激光棒较高25瓦CW功率标准波长：1310、1470、1532、1550、1625nm提供定制波长
- QLD-1055-100S半导体激光器QPhotonics
波长: 1057 nm输出功率: 0 to 0.075 W
Qphotonics公司的QLD-1055-100S是波长为1057nm的激光二极管，输出功率为0~0.075W，工作电压为1.96V，工作电流为0.21~0.21A，阈值电流为52mA.有关QLD-1055-100S的更多详细信息，请参阅下文。
- B-109半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1532 nm输出功率: 4.2 W
Seminex公司的B-109是波长为1532nm，输出功率为4.2W，工作电压为1.7V，工作电流为14A，阈值电流为500mA的激光二极管。B-109的更多细节可以在下面看到。
- ARR23P600半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 100 W
Northrop Grumman公司的ARR23P600是一种波长为808 nm、输出功率为100 W、工作电压为10.8 V、工作电流为95 A、阈值电流为15000 mA的激光二极管。有关ARR23P600的更多详细信息，请参阅下文。
- 26XX nm laser diode半导体激光器Brolis Semiconductors
波长: 2590 nm输出功率: 0.02 W
Brolis Semiconductors公司的26XX nm激光二极管是一种波长为2590 nm、输出功率为0.02 W、工作电压为1.6 V、工作电流为0.5 A、阈值电流为100 mA的激光二极管。有关26xx nm激光二极管的更多详细信息，请参见下文。
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