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下载规格书 激光二极管是一种半导体设备，它将电能直接转换为一束聚焦的光。
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GC-800-40-to-130-B概述
来自Innolume的GC-800-40-TO-130-B是一款激光二极管，波长为800 nm，输出功率为0.1至0.13 W，工作电流为0.25至0.25 A，输出功率（CW）为0.1到0.13 W.有关GC-800-40-TO-130-B的更多详细信息，
GC-800-40-to-130-B参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 800 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.1 to 0.13 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.25 to 0.25 A
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
GC-800-40-to-130-B图片集
GC-800-40-to-130-B规格书
GC-800-40-to-130-B厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
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图片名称分类制造商参数描述
- LDX-2205-630: 630nm 200mW Multimode Laser Diode半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 200mW
该红色630nm激光二极管从自由空间封装中的50um发射器产生250mW，或者从光纤耦合封装中的光纤产生200mW。它具有低阈值电流和高斜率效率，这导致了增强可靠性的低工作电流。
- A stack 808 nm半导体激光器Monocrom
波长: 780 to 830 nm输出功率: 20 to 500 W
来自MonoCrom的堆叠808nm是具有波长780至830nm、输出功率20至500W、输出功率20至500W、工作电流20至450A的激光二极管。堆叠808nm的更多细节可以在下面看到。
- UNMOUNTED CHIPS 760 - 830 nm半导体激光器Leonardo Electronics US
波长: 760 to 830 nm输出功率: 0.5 to 8 W
来自Leonardo Electronics US的未安装芯片760-830nm是波长为760至830nm的激光二极管，输出功率为0.5至8W，工作电压为1.8至2V，工作电流为0.5至8.5A，阈值电流为100至700mA.未安装芯片760-830纳米的更多细节可以在下面看到。
- I0785MB0350MF半导体激光器Innovative Photonic Solutions
波长: 785 nm输出功率: 0.35 W
Innovative Photonic Solutions的I0785MB0350MF是一款激光二极管，波长为785 nm，输出功率为0.35 W，工作电压为2.2 V，工作电流为1 A，输出功率（CW）为0.35 W.有关I0785MB0350MF的更多详细信息，请参见下文。
- TPA-0976-2000半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 965 to 985 nm输出功率: 2 W
Sacher Lasertechnik的TPA-0976-2000是一款激光二极管，波长为965至985 nm，输出功率为2 W，输出功率（CW）为2 W.TPA-0976-2000的更多详细信息见下文。
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