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下载规格书 由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性，硅（Si）光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而，由于硅基材料无法有效发光，因此需要使用其他半导体作为光源。
全部产品分类
概述
来自Innolume的GC-1180-100-TO-200-B是一种激光二极管，波长为1170 nm，输出功率为0.15至0.21 W，工作电流为0.6至0.6 A，输出功率（CW）为0.15到0.21 W.GC-1180-100-TO-200-B的更多详情见下文。
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1170 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.15 to 0.21 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.6 to 0.6 A
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-250M-860X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 250mW
FIDL-250M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-860X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。
- ARR01P3600半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 200 W
Northrop Grumman公司的ARR01P3600是一种激光二极管，波长为808 nm，输出功率为200 W，工作电压为36 V，工作电流为175 A，阈值电流为15000 mA.有关ARR01P3600的更多详细信息，请参阅下文。
- LU0976M200半导体激光器Lumics
波长: 975 to 976 nm输出功率: 0.2 W
LUICS的LU0976M200是一款激光二极管，波长为975至976 nm，输出功率为0.2 W，工作电压为1.65 V，工作电流为0.35 A，阈值电流为40 mA.有关LU0976M200的更多详细信息，请参阅下文。
- RLT808-100G半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 805 to 813 nm输出功率: 0.1 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT808-100G是一种激光二极管，波长为805至813 nm，输出功率为0.1 W，工作电压为2.2至2.5 V，工作电流为0.15至0.18 A，阈值电流为35至50 mA.有关RLT808-100G的更多详细信息，请参阅下文。
- FPV785M半导体激光器Thorlabs Inc
波长: 785 nm输出功率: 550 to 600 mW
Thorlabs的FPV785M是一款体积全息光栅（VHG）稳定激光二极管，工作波长为785 mm.该多模激光二极管提供波长稳定的光谱，输出功率为600mW.激光器的输出耦合到FC/PC端接的多模光纤。其斜率效率为0.95W/A，阈值电流高达350mA.该激光二极管需要1.9 V的直流电源，消耗1100 mA的电流。它由集成式热电制冷器（TEC）和热敏电阻组成。该激光二极管采用14引脚密封蝶形封装，是拉曼光谱应用的理想选择。
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