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下载规格书 将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此（图2），在这种情况下，两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
全部产品分类
概述
来自Innolume的GC-1030-150-TO-200-B是一种激光二极管，波长为1060 nm，输出功率为0.15至0.2 W，工作电流为0.4至0.4 A，输出功率（CW）为0.15到0.2 W.有关GC-1030-150-TO-200-B的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1060 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.15 to 0.2 W
- 工作电流 / Operating Current : 0.4 to 0.4 A
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- RIO PLANEX™ 1064nm Narrow Linewidth External Cavity Laser (10mW)半导体激光器RIO (OptaSense, Inc)
输出功率: 10mW
RIO019x-X-XX-X器件是高性能、高成本效益的外腔激光器（ECL）。该设计基于Rio的专有平面技术（Planex™），由增益芯片和平面光波电路组成，包括具有布拉格光栅的波导，形成具有显著优势的激光腔。Planex™激光器将可与长腔光纤激光器相媲美的高性能与半导体激光器的低成本、简单性、小尺寸和可靠性相结合。Planex™激光器是高功率光纤和固态激光器、二次谐波产生和光学参量振荡器、光谱学和其他工业和科学应用、相干多普勒激光雷达、计量和光学传感的理想光源。激光器可提供各种波长和输出功率选项。
- FARL-5S-635-40-A半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 635 to 640 nm输出功率: 0.005 to 0.006 W
来自Frankfurt Laser Company的FARL-5S-635-40-A是波长为635至640 nm、输出功率为0.005至0.006 W、阈值电流为19至23 mA、输出功率（CW）为0.005至0.006 W、工作温度为-10至40摄氏度的激光二极管。
- CVD 40半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
波长: 905 nm输出功率: 2 W
来自OSI Laser Diode，Inc.的CVD 40是波长为905nm、输出功率为2W、输出功率（CW）为2W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。
- TO56-103-126半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1530 to 1580 nm输出功率: 24 W
TO56-103-126是Seminex公司生产的波长为1530~1580nm的激光二极管，输出功率为24W，工作电压为7V，工作电流为80A，阈值电流为2000mA.有关TO56-103-126的更多详细信息，请参阅下文。
- RLU4116E半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 370 to 380 nm输出功率: 0.07 W
Roithner Lasertechnik的RLU4116E是波长为370至380 nm的激光二极管，输出功率为0.07 W，工作电压为5.4至6 V，工作电流为0.11至0.14 A，阈值电流为50至75 mA.有关RLU4116E的更多详细信息，请参阅下文。
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