DL-CLS409B/D-S1383

输出功率: 35mW

FKLD-35S-660-70X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-35S-660-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

输出功率: 5mW

FTLD-1390-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1390nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1390-05S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

波长: 850nm输出功率: 20mW

我们的新系列光纤耦合同轴激光二极管有单模和多模两种形式。这两个系列的器件均具有高输出功率，可覆盖从405nm到1064nm的较有用波长。根据各自的规格，可提供各种光纤选择，包括仅光纤、FC、SC或SMA连接器。封装内的光电二极管（PD）允许功率控制和稳定性的反馈。在可见光范围内，有一些较有用和较强大的单模产品，可提供40至100mW，以及多模激光器，可输出120mW、300mW和高达400mW的匹配波长选择。红外产品也可提供高输出功率。例如单模785nm和850nm，以及808nm至850nm范围内超过100mW的多模设备。高达1064nm的长波长产品完善了单模和多模的产品线，其中单模10mW，多模30mW。查看较新和较适合您的应用的单模和多模设备，或联系Access Pacific了解全部详情。

波长: 670 nm输出功率: 10 mW

来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-670是波长为670nm、输出功率为10mW、工作电压为2.1V、工作电流为21000mA的激光二极管。有关LDX-4119-670的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 830 to 1100 nm输出功率: 100 to 300 W

美国Leonardo Electronics公司的S14-QCW是一种激光二极管，其波长为830至1100 nm，输出功率为100至300 W，工作电压为1.85至2 V，工作电流为95至330 A，阈值电流为10000至28000 mA.S14-QCW的更多细节可以在下面看到。