将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此(图2),在这种情况下,两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
24XX纳米SAF增益芯片
更新时间:2023-02-07 16:00:24
24XX纳米SAF增益芯片概述
24XX纳米SAF增益芯片参数
- 技术 / Technology : Fabry-Perot Laser (FP)
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 2380 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.005 to 0.095 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.3 A
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
24XX纳米SAF增益芯片图片集
24XX纳米SAF增益芯片规格书
24XX纳米SAF增益芯片厂家介绍
相关内容
相关产品
- 808L-11A: 808nm Laser (Diode; MATCHBOX 2)半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 808nm输出功率: 110mW
808nm半导体激光器(GaAlAs)广泛用于泵浦掺Nd增益介质。较近,这些二极管激光器被应用于牙科手术、疼痛治疗、塑料焊接和各种其他应用。808 nm激光源提供SLM和纵向多模选项,TEM00操作。
- KCL-75C-A Direct Diode Laser半导体激光器Kimmon Koha Co. Ltd.
输出功率: 75mW
Kimmon Koha蓝/紫激光系统提供375nm、405nm、445nm或448nm的工作波长。每个波长可用于圆形或椭圆形光束形状。蓝色/紫色激光系统在紧凑的设计中提供卓越的功率和波长稳定性。每个系统都包括用于自动功率控制(APC)和自动电流控制(ACC)的激光软件。所有激光器型号均提供出色的光束质量,可用于各种应用,M2系数小于1.2。
- APA8501010001半导体激光器II-VI Incorporated
II-VI Incorporated的APA8501010001是一款激光二极管,波长为840 nm、850 nm、860 nm,输出功率为0.9 MW(SM),工作电压为2.3 V,工作电流为2.3至6 mA.有关APA8501010001的更多详细信息,请参阅下文。
- SEC9-940-01半导体激光器II-VI Incorporated
波长: 940 nm
来自II-VI Incorporated的SEC9-940-01是波长为940nm、工作电压为1.9V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SEC9-940-01的更多详细信息,请参阅下文。
- LD-660-50B3半导体激光器Lasermate Group
波长: 652 to 658 nm输出功率: 60 mW
Lasermate集团的LD-660-50B3是一种激光二极管,波长为652至658 nm,输出功率为60 MW,工作电压为2.6至3 V,工作电流为90至120 mA.有关LD-660-50B3的更多详细信息,请参阅下文。
相关文章
半导体激光器是通过半导体中电荷载流子对的辐射再结合产生的。与传统的激光系统相比,它们的效率更高,成本更低,所需的功率也更小,因此成为制造业、医药和能源领域的热门选择。
使用激光,研究人员可以直接控制核子的自旋,这可以编码量子信息
原则上,基于量子的设备,如计算机和传感器,在执行许多复杂任务时可以大大超过传统的数字技术。
紧凑型光子芯片的精确热控制:玻璃基板集成微热电冷却器(SimTEC)
光子学提供了各种优势,包括通过利用光特性在光学数据通信、生物医学应用、汽车技术和人工智能领域实现高速低损耗通信。这些优势是通过复杂的光子电路实现的,包括集成在光子芯片上的各种光子元件。