单频半导体激光器研究取得进展:氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院(EPFL)光子系统实验室(PHOSL)的团队开发出了一种芯片级激光源,在提高半导体激光器性能的同时,还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导,是光子学领域的重大进展,对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
概述
Thorlabs Inc的L9805E2P5是一款激光二极管,波长为980 nm,输出功率为0.05 W,工作电压为1.5至1.7 V,工作电流为0.095至0.12 A,输出功率(CW)为0.05 W.L9805E2P5的更多详细信息见下文。
参数
规格书
厂家介绍
相关产品
由Becker Hickl-BH设计和制造,提供波长从NUV到NIR的多个皮秒二极管激光器。所有激光器都具有简单的+12V电源、高重复率、短脉冲宽度和极低的电噪声水平。完整的驱动器电子设备集成在激光模块中。所有BH二极管激光模块均与BH TCSPC模块直接兼容。
输出功率: 1200mW
Ushio Opto Semiconductor(USHIO/OPNEXT激光二极管)提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G(1000mW,405nm)紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG,这是Ushio的一款新型单模405nm二极管,较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率,可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管,可用作光学仪器的光源,Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外,还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性,这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模式和9 mm封装。HL65213HD激光二极管具有多模式和9 mm封装。HL65213HD是工业和照明应用的理想选择,要求可靠的操作,具有长寿命和稳定的输出功率。
输出功率: 450mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
STRADUS®激光器具有高性能、低噪声、非常稳定、高速调制和出色的光束质量,适用于医疗、生物医学和工业市场中的苛刻应用。STRADUS®激光模块
波长: 940 nm输出功率: 0.05 W
Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率,并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度(平行)、23-33度(垂直),光束角为±3°(平行和垂直)。它需要高达2.5 V的电源电压,功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术设计的,具有量子阱结构。它采用TO18封装,带有一个平面窗口,适合工业应用。
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