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S8450MG 半导体激光器

S8450MG

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奥地利

更新时间:2023-02-23 15:53:58

型号: S8450MG

S8450MG概述

来自Roithner Lasertechnik的S8450MG是波长为830至850 nm、输出功率为0.05 W、工作电压为1.5至2.1 V、工作电流为0.085至0.11 A、阈值电流为28至35 mA的激光二极管。有关S8450mg的更多详细信息,

S8450MG参数

  • 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
  • 波长 / Wavelength : 830 to 850 nm
  • 输出功率 / Output Power : 0.05 W
  • 工作电压 / Operating Voltage : 1.5 to 2.1 V
  • 工作电流 / Operating Current : 0.085 to 0.11 A
  • 阈值电流 / Threshold Current : 28 to 35 mA
  • 激光颜色 / Laser Color : Infrared
  • 类型 / Type : Free Space Laser Diode
  • RoHS / RoHS : Yes

S8450MG图片集

S8450MG图1
S8450MG图2
S8450MG图3
S8450MG图4
S8450MG图5
S8450MG图6

S8450MG规格书

S8450MG厂家介绍

激光二极管、激光模块、LED、光电二极管、光学器件和相关配件的供应商。

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图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    520nm 50mW Laser Diode半导体激光器ELK Industries, LLC

    输出功率: 20mW

    Elk Industries提供多种激光二极管。

  • 光电查
    Fabry-Pérot Laser Diode-LD-10XX-YY-500-1240nm半导体激光器Innolume GmbH

    输出功率: 500mW

    •350/500/550mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1170-1280nm •专有镜面涂层技术,实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范

  • 光电查
    Seminex Fiber-coupled High Power IR Multi-Mode Laser 1375nm 28W半导体激光器FrankFurt Laser Company

    波长: 1375nm输出功率: 28000mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 光电查
    QFLD-1550-1SM半导体激光器QPhotonics

    波长: 1558 nm输出功率: 0 to 0.002 W

    来自Qphotonics的QFLD-1550-1SM是波长为1558nm、输出功率为0至0.002W、工作电压为1.15V、工作电流为0.03至0.03A、阈值电流为17mA的激光二极管。有关QFLD-1550-1SM的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    LDX-3315-785半导体激光器RPMC Lasers Inc.

    波长: 785 nm

    RPMC Lasers Inc.的LDX-3315-785是一款激光二极管,波长为785 nm,输出功率为2800 MW(光纤)至3500 MW,输出功率为2800 MW(光纤)至3500 MW,工作电压为1.8 V,工作电流为3200 mA.有关LDX-3315-785的更多详细信息,请参阅下文。

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