将来自光纤耦合半导体激光管的光耦合到有源光纤中是一个复杂的过程。 这对于MOPA配置来说尤其如此(图2),在这种情况下,两者都需要注入输入种子源和泵浦光源。
RLT85100MG
更新时间:2023-02-23 15:53:58
概述
Roithner Lasertechnik公司的RLT85100MG是一种激光二极管,波长为835至865 nm,输出功率为0.1 W,工作电压为1.8至2.5 V,工作电流为0.2至0.35 A,阈值电流为70至150 mA.有关RLT85100mg的更多详细信息,
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 835 to 865 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.1 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.8 to 2.5 V
- 工作电流 / Operating Current : 0.2 to 0.35 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 70 to 150 mA
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
规格书
厂家介绍
相关产品
- HL6756MG AlGaInP Laser Diode半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 15mW
HL6756MG AlGaInP半导体激光器。
- EYP-DFB-1064-00040-1500-BFY02-0000半导体激光器TOPTICA eagleyard
波长: 1064 nm输出功率: 0.01 to 0.04 W
Toptica Eagleyard的EYP-DFB-1064-00040-1500-BFY02-0000是一款激光二极管,波长为1064 nm,输出功率为0.01至0.04 W,工作电压为0.8 V,阈值电流为70 mA,输出功率(CW)为0.01至0.04 W.EYP-DFB-1064-00040-1500-BFY02-0000的更多详情见下文。
- EYP-DFB-1064-00080-1500-TOC03-000x半导体激光器TOPTICA eagleyard
波长: 1063 to 1065 nm输出功率: 0.09 W
来自Toptica Eagleyard的EYP-DFB-1064-00080-1500-TOC03-000X是波长为1063至1065nm的激光二极管,输出功率为0.09W,工作电压为0.8V,工作电流为0.17至0.19A,阈值电流为70mA.有关EYP-DFB-1064-00080-1500-TOC03-000X的更多详细信息,请参阅下文。
- I0808MB0350MS半导体激光器Innovative Photonic Solutions
波长: 808 nm输出功率: 0.35 W
Innovative Photonic Solutions的I0808MB0350MS是一款激光二极管,波长为808 nm,输出功率为0.35 W,工作电压为2.2 V,工作电流为1 A,输出功率(CW)为0.35 W.有关I0808MB0350MS的更多详细信息,请参见下文。
- TPA-0810-1500半导体激光器Sacher Lasertechnik
波长: 795 to 815 nm输出功率: 1.5 W
Sacher Lasertechnik的TPA-0810-1500是一款激光二极管,波长为795至815 nm,输出功率为1.5 W,输出功率(CW)为1.5 W.TPA-0810-1500的更多详细信息可在下面查看。
相关文章
初创公司Baraja为汽车应用提供制造 "随机调制连续波 "传感器所需的芯片
在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中,由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻(TPL)是一种基于激光的技术,可用于创建分辨率极高的三维结构,它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案,光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
人们对各种半导体激光器的外部光反馈效应进行了深入研究 [1] - [3]。从法布里-珀罗(FP)激光器到 DFB 和 DBR 激光器,这些反馈效应对所有半导体激光器都有同样的影响。 有五种反馈状态决定了半导体在外部反馈下的工作方式。