由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性,硅(Si)光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而,由于硅基材料无法有效发光,因此需要使用其他半导体作为光源。
SAL-0690-025
更新时间:2023-12-06 17:10:30
概述
Sacher Lasertechnik的Sal-0690-025是一款激光二极管,波长为685至695 nm,输出功率为0.025 W,输出功率(CW)为0.025 W.有关Sal-0690-025的更多详细信息,
参数
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 685 to 695 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.025 W
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
相关产品
- LASER DIODE FTLD-1530-10S半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 10mW
FTLD-1530-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1530nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1530-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。
- LDX-2310-627半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 627 nm
RPMC Lasers Inc.的LDX-2310-627是一种激光二极管,波长为627 nm,输出功率为280 MW(光纤)至350 MW,输出功率为280 MW(光纤)至350 MW,工作电压为2.3 V,工作电流为1900 mA.有关LDX-2310-627的更多详细信息,请参阅下文。
- CLS051B-S1260半导体激光器DenseLight Semiconductors
波长: 1260 to 1670 nm输出功率: 0.005 to 0.01 W
来自Denselight Semiconductors的CLS051B-S1260是一款激光二极管,波长为1260至1670 nm,输出功率为0.00 5至0.01 W,工作电压为0至2.5 V,工作电流为0至2.5 A,输出功率(CW)为0.00 5至0.01 W.有关CLS051B-S1260的更多详细信息,请参见下文。
- D6-7-660-100半导体激光器Egismos Technology Corporation
波长: 660 nm输出功率: 0 to 0.1 W
D6-7-660-100是一种激光二极管,其波长为660nm,输出功率为0~0.1W,工作电压为2.5~3V,工作电流为155~180mA,阈值电流为55~70mA.有关D6-7-660-100的更多详细信息,请参阅下文。
- 49-1540-6000-B半导体激光器Lumentum Operations LLC
波长: 891 to 941 nm输出功率: Up to 6 W
Lumentum Operations LLC的49-1540-6000-B是一款激光二极管,波长为891至941 nm,输出功率高达6 W,工作电流为6.8至9.1 A,阈值电流为600至900 mA,输出功率(CW)高达6 W.有关49-1540-6000-B的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
激光二极管技术(Laser Diode Technology)
最近,激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。
Photodigm DBR 激光二极管结构与同类 DFB 设计的对比
Photodigm 系列高功率边缘发射分布式布拉格反射器 (DBR) 激光二极管基于 Photodigm 专有的单一外延生长 DBR 激光结构。
非线性光学显微镜彻底改变了我们观察和理解复杂生物过程的能力。然而,光也会损害生物物质。然而,强光对细胞过程的不可逆扰动背后的机制仍然知之甚少。