SAL-0635-010

输出功率: 2000mW

GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA（主振荡器功率放大器）。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层，以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

输出功率: 20mW

FIDL-20M-770X是用MOCVD半导体激光器制作的770nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20M-770X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许使用激光二极管光谱设备以及各种光电系统。

输出功率: 750mW

FLX-690-750M-100是一种在690nm处连续输出功率为750mW的多模半导体激光器。可用的封装有B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米至CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

输出功率: 450mW

Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

波长: 980 nm输出功率: Up to 0.7 W

Lumentum Operations LLC的S28-XXXX-360是一款激光二极管，波长为980 nm，输出功率高达0.7 W，工作电流为835 mA，阈值电流为125 mA，输出功率（CW）高达0.7 W.有关S28-XXXX-360的更多详细信息，请参见下文。