PH760DBR系列

输出功率: 30mW

FIDL-30S-905X是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-905X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光器适用于各种光电系统。

产品型号 :980LD 这些光纤耦合 980 nm 半导体激光管作为现货提供，或与连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 大多数版本与我们的高速纳秒脉冲驱动器或连续驱动器兼容（高功率多模版本半导体激光管本具有风冷）。 单模 980 nm 半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 1500 mW 的高功率。 大部分激光管+驱动器的光源模块被用来优化单发和CW脉冲性能，脉宽低至1纳秒。 980nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部TTL 信号生成。 提供 7 种多模版本，用于高达 450 W 的连续输出。它们耦合在高达 150 W 的 106 µm 纤芯多模光纤 (NA=0.22)、高达 250 W 的 135 µm 纤芯和高达 450 W 的 200 µm 纤芯中。

波长: 853.7 nm输出功率: 0 to 0.15 W

QLD-850-150SB是一种波长为853.7nm的激光二极管，输出功率为0~0.15W，工作电压为2.09V，工作电流为0.17 9~0.197A，阈值电流为28mA.有关QLD-850-150SB的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 1550 nm输出功率: 25 W

Seminex公司的BAR-111是波长为1550nm，输出功率为25W，工作电压为1.3V，工作电流为65A，阈值电流为10000mA的激光二极管。下面可以看到BAR-111的更多详细信息。

波长: 806 nm

II-VI Incorporated的SEC4-808A-01是一款激光二极管，波长为806 nm，工作电压为1.9 V，工作电流为4 A，阈值电流为0.6 A.SEC4-808A-01的更多详细信息见下文。